一、系統(tǒng)設(shè)備概述

多腔等離子體沉積/刻蝕系統(tǒng)是一款優(yōu)良的沉積/刻蝕設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造和微電子領(lǐng)域。該系統(tǒng)通過(guò)在多個(gè)腔室中產(chǎn)生等離子體，利用反應(yīng)氣體對(duì)材料進(jìn)行選擇性沉積/刻蝕，能夠?qū)崿F(xiàn)高精度和高均勻性的沉積/刻蝕效果。多腔設(shè)計(jì)使得設(shè)備能夠同時(shí)處理多個(gè)晶圓，提高生產(chǎn)效率和吞吐量。該設(shè)備適用于多種材料，包括硅、氮化物和金屬等，廣泛用于集成電路、MEMS 以及光電器件的制造。憑借其良好的沉積/刻蝕性能和靈活的工藝調(diào)節(jié)能力，多腔等離子體沉積/刻蝕系統(tǒng)在現(xiàn)代微納米加工中發(fā)揮著重要作用。

二、設(shè)備用途與原理

1.設(shè)備用途

多腔等離子體刻蝕沉積/刻蝕主要用于半導(dǎo)體制造、微電子和納米技術(shù)領(lǐng)域。它廣泛應(yīng)用于集成電路（IC）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、光電器件及其他高精度微納加工，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)硅、氮化物、金屬等多種材料的選擇性沉積/刻蝕。

2.工作原理

該系統(tǒng)通過(guò)在多個(gè)腔室中產(chǎn)生等離子體，利用反應(yīng)氣體與材料表面反應(yīng)，選擇性去除材料。首先，反應(yīng)氣體被引入刻蝕腔室，經(jīng)過(guò)電場(chǎng)激勵(lì)后形成等離子體。等離子體中的活性粒子與待刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生揮發(fā)性副產(chǎn)物，從而實(shí)現(xiàn)材料的去除。多腔設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)能夠同時(shí)處理多個(gè)晶圓，顯著提高生產(chǎn)效率和均勻性。此外，系統(tǒng)的工藝參數(shù)可調(diào)節(jié)，允許用戶(hù)優(yōu)化刻蝕速率和選擇性，以滿(mǎn)足不同應(yīng)用的需求。

三、設(shè)備組成

1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)；

2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)；

3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無(wú)需反應(yīng)腔的開(kāi)腔破真空；

4.系統(tǒng)包括：

  一個(gè)六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機(jī)械手

  六個(gè)端口分別連接：

（1）一個(gè) ALE 刻蝕腔模塊：用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子層刻蝕；

（2）一個(gè)ICPECVD 沉積腔模塊：用于沉積氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介質(zhì)薄膜；

（3）一個(gè)低溫 ICP-RIE 刻蝕腔模塊：配氟基氣體，主要用于低溫深硅刻蝕、常溫鍺刻蝕等；

（4）一個(gè) loadlock 預(yù)真空室模塊：用于單片樣品的手動(dòng)送樣；

（5）一個(gè)真空片盒站模塊：用于多片片盒的自動(dòng)送樣；

（6）一個(gè)端口備用，未來(lái)可升增加 1 個(gè)刻蝕或沉積反應(yīng)腔模塊工藝系統(tǒng)。