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簡要描述:1、Nikon S308F掃描式光刻機(jī)光源波長193nm分辨率優(yōu)于0.07µm主要用于4寸、6寸、8寸及12寸生產(chǎn)線廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等領(lǐng)域2、產(chǎn)品詳情主要技術(shù)指標(biāo)分辨率0.07µmN.A.0.92曝光光源193nm倍率4:1最大曝光現(xiàn)場26mm*33mm對(duì)準(zhǔn)精度12nm
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Nikon S308F 掃描式光刻機(jī)是一款高性能的設(shè)備,專為先進(jìn)半導(dǎo)體制造而設(shè)計(jì),適用于 300mm 晶圓的生產(chǎn)。該機(jī)型采用了先進(jìn)的掃描技術(shù)和高分辨率光學(xué)系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)的圖案轉(zhuǎn)移,滿足現(xiàn)代集成電路和微機(jī)電系統(tǒng)的制造需求。其快速的曝光速度和高生產(chǎn)效率使其適合大批量生產(chǎn),同時(shí)用戶友好的操作界面和自動(dòng)化功能也降低了操作難度。憑借其穩(wěn)定性和可靠性,Nikon S308F 在復(fù)雜的制造環(huán)境中表現(xiàn)出色,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)。
該設(shè)備以其高分辨率和高效的曝光能力,確保了在先進(jìn)制造領(lǐng)域的應(yīng)用。該設(shè)備利用高強(qiáng)度光源將掩模上的圖案投影到涂有光刻膠的晶圓表面。首先,光源發(fā)出特定波長的光線,通過高分辨率的光學(xué)系統(tǒng),掃描掩模并將其圖案精確投影到晶圓上。曝光后,光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化,接著進(jìn)行顯影過程,去除未曝光或已曝光的光刻膠,形成所需圖案。隨后,利用刻蝕工藝將圖案轉(zhuǎn)移到晶圓材料上,最后去除殘留的光刻膠。通過這種方式,Nikon S308F 能夠高效地實(shí)現(xiàn)復(fù)雜圖形的精確轉(zhuǎn)移,滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造的需求。
分辨率 | 0.07µm |
N.A. | 0.92 |
曝光光源 | 193nm |
倍率 | 4:1 |
大曝光現(xiàn)場 | 26mm*33mm |
對(duì)準(zhǔn)精度 | 12nm |
Nikon S308F掃描式光刻機(jī)
光源波長193nm
分辨率優(yōu)于0.07µm
主要用于4寸、6寸、8寸及12寸生產(chǎn)線
廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等域
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