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等離子蝕刻系統(tǒng)

簡要描述:SENTECH SI 500 ICP-RIE等離子體蝕刻系統(tǒng)使用具有低離子能量的電感耦合等離子體 (ICP) 源,可實現(xiàn)低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。

  • 產(chǎn)品型號:SENTECH SI 500 ICP-RIE
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-08-12
  • 訪  問  量: 245

詳細介紹

主要功能與優(yōu)勢

低損傷蝕刻

由于離子能量低且離子能量分布窄,因此可以使用SENTECH電感耦合等離子體(ICP)蝕刻工具進行低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。

簡單的高速率蝕刻

使用室溫交替工藝或低溫工藝實現(xiàn)光滑側(cè)壁,可以很容易地使用高縱橫比的 MEMS 的 Si 進行高速等離子體蝕刻。

SENTECH專有的等離子體源技術(shù)

SENTECH平面三重螺旋天線(PTSA)等離子體源是一種等離子體處理系統(tǒng)功能。PTSA 源產(chǎn)生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體,適用于傳感器、量子點和 HEMT 的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點火性能,適用于處理各種材料和結(jié)構(gòu)。

動態(tài)溫度控制

等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴格標準。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結(jié)合,可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件?;衔锇雽?dǎo)體中的凹槽和臺面蝕刻等應(yīng)用展示了最佳的工藝控制,這對于高器件性能是必要的。

靈活性和模塊化

從100 mm晶圓到直徑200 mm的各種基板,以及載體上的基板,都可以通過SENTECH SI 500 ICP-RIE系統(tǒng)中內(nèi)置的靈活負載鎖來處理。單晶圓真空負載鎖定保證了穩(wěn)定的工藝條件,并允許直接切換工藝。

我們可以提供不同級別的自動化,從真空盒裝載到一個工藝室,再到六端口集群配置,不同的蝕刻和沉積模塊提供高靈活性和高吞吐量。該系統(tǒng)還可以作為過程模塊集成到集群配置中。

SENTECH SI 500 ICP-RIE系統(tǒng)由先進的硬件和SIA操作軟件控制,具有客戶端-服務(wù)器架構(gòu)。一個經(jīng)過充分驗證的可靠可編程邏輯控制器(PLC)用于所有組件的實時控制。




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