當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導體前道工藝設(shè)備 > 2 PVD > DZ350高真空有機及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
簡要描述:產(chǎn)品概述:高真空有機及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng);真空測量系統(tǒng);蒸發(fā)源;樣品加熱控溫;電控系統(tǒng);配氣系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備用途:熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi),通過對鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過程??稍诟哒婵障抡舭l(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜,廣泛應用于物理,生物,化學,材料,電子等領(lǐng)域。
產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
1.產(chǎn)品概述:
該設(shè)備主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng);真空測量系統(tǒng);蒸發(fā)源;樣品加熱控溫;電控系統(tǒng);配氣系統(tǒng)等部分組成。
2.產(chǎn)品應用:
在實際應用中,這種系統(tǒng)常用于半導體、光電子、有機電子等域,用于制備各種有機薄膜、金屬薄膜或復合薄膜,以滿足不同器件和材料的研究與開發(fā)需求。
3.真空室:
沈陽科學儀器的高真空有機及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng) DZ350的詳細介紹可能因具體型號和配置而有所不同
真空室結(jié)構(gòu):U形開門
真空室尺寸:φ350×400mm
限真空度:≤6.6E-5Pa
沉積源:2個鎢舟、2個有機源
樣品尺寸,溫度:50mmx50mm,1片,高300℃
占地面積(長x寬x高):約2.5米×1.2米×1.8米
電控描述:采用先進的控制系統(tǒng),方便用戶設(shè)置和調(diào)整工藝參數(shù),如蒸發(fā)溫度、沉積時間等。
手動:樣品臺:擁有可旋轉(zhuǎn)或可移動的樣品臺,以便均勻沉積薄膜。
工藝:不含工藝
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