1. 產(chǎn)品概述

Shale® C系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（ICP-CVD）是一款先進(jìn)的薄膜沉積設(shè)備，它結(jié)合了電感耦合（ICP）和電容耦合（CCP）技術(shù)，為用戶提供了一種高效、可靠的薄膜沉積解決方案。

該設(shè)備通過高密度等離子體的產(chǎn)生，實(shí)現(xiàn)了極低的沉積溫度，這不僅能夠保護(hù)基材，減少熱損傷，還能確保薄膜的高致密性與優(yōu)異的填充能力。該工藝適用于多種材料的沉積，尤其是在對(duì)薄膜質(zhì)量有高要求的應(yīng)用中表現(xiàn)。

此外，Shale® C系列設(shè)備采用了符合國際標(biāo)準(zhǔn)的零部件，這些組件是8英寸產(chǎn)線設(shè)備中的常用標(biāo)準(zhǔn)部件，確保了設(shè)備的兼容性與可維護(hù)性。設(shè)備的設(shè)計(jì)遵循SEMI的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，確保其在半導(dǎo)體行業(yè)中的穩(wěn)定運(yùn)行及高度可靠。

在產(chǎn)品性能方面，Shale® C系列經(jīng)過了一系列嚴(yán)格的穩(wěn)定性和可靠性測試，驗(yàn)證了其在長時(shí)間連續(xù)運(yùn)行下的表現(xiàn)。這使得該設(shè)備成為制造過程中的理想選擇，適合用于大規(guī)模生產(chǎn)和研發(fā)實(shí)驗(yàn)。

2. 系統(tǒng)特性

可在低溫（<120°C）下沉積高致密薄膜，其致密性不亞于LPCVD在750°C生長的薄膜

可有效降低等離子體損傷，從而降低漏電，漏電流密度與原子層沉積（ALD）制備的薄膜相當(dāng)

可提供高深寬比薄膜填充工藝

可選8/6英寸電，適用于不同尺寸的晶圓