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電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積ICPCVD

簡要描述:該ICPCVD工藝模塊設(shè)計(jì)用于在低生長溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜,通過高密度遠(yuǎn)程等離子體實(shí)現(xiàn),從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量,同時減少基板損傷。

  • 產(chǎn)品型號:PlasmaPro 100 ICPCVD
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-05
  • 訪  問  量: 256

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

ICPCVD工藝模塊專門設(shè)計(jì)用于在相對較低的生長溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜,其核心技術(shù)是采用高密度遠(yuǎn)程等離子體來實(shí)現(xiàn)。這種設(shè)計(jì)不僅使得薄膜的成核和生長過程更加可控,還有效地提高了薄膜的物理和化學(xué)性能。

通過高密度等離子體的使用,利用源自等離子體中的活性物質(zhì)和離子,能夠促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生,使得薄膜在較低的溫度環(huán)境中仍能實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)的沉積。這意味著在沉積過程中,能夠有效地避免基板因過高溫度而出現(xiàn)的熱損傷,從而保護(hù)基材的結(jié)構(gòu)與性能,確保最終產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

此外,該工藝模塊為材料的多樣性和應(yīng)用廣度提供了可能,適用于多種類型的薄膜沉積,包括但不限于硅基材料、氮化物、氧化物等。這使其在半導(dǎo)體、光電及微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 等行業(yè)中具有廣泛的應(yīng)用前景。

2. 特色參數(shù)

更好的均勻性、高產(chǎn)量以及高精度的工藝

高質(zhì)量薄膜

電的適用溫度范圍寬

兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

快速更換不同尺寸晶圓

購置成本低且易于維護(hù)

緊密的設(shè)計(jì),布局靈活

電阻絲加熱電,高溫度可達(dá)400°C或1200°C

實(shí)時監(jiān)測清洗工藝, 并且可自動停止工藝



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