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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  4 外延系統(tǒng)  >  Epiluvac ER3-C1SiC分子外延系統(tǒng)

SiC分子外延系統(tǒng)

簡要描述:Epiluvac 產(chǎn)品通常作為完整的系統(tǒng)交付,包括反應(yīng)器模塊、氣體輸送系統(tǒng)、過程控制、安全系統(tǒng)、安裝和調(diào)試。每個(gè)系統(tǒng)在發(fā)貨前都經(jīng)過廣泛的測試,一旦安裝,交付還包括所有必要的客戶操作和維護(hù)培訓(xùn)。

  • 產(chǎn)品型號:Epiluvac ER3-C1
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-09-05
  • 訪  問  量: 279

詳細(xì)介紹

Epiluvac ER3-C1

晶圓直徑可達(dá) 200 mm (8“)

通過熱壁拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)出色的均勻性

優(yōu)良的動態(tài)氣體流量控制,可實(shí)現(xiàn)佳生長速率和摻雜均勻性。

具有多個(gè)加熱區(qū)的出色溫度曲線

不含石英,適用于氯化工藝

在清潔的惰性氣氛中進(jìn)行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命

模塊化設(shè)計(jì),兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)反應(yīng)器組成集群配置。每個(gè)反應(yīng)器都針對特定的生長步驟進(jìn)行了優(yōu)化

在受控環(huán)境中在反應(yīng)器之間進(jìn)行晶圓運(yùn)輸

高達(dá) 1800 °C

適用于中小批量生產(chǎn)和研發(fā)

 

Epiluvac EPI 1000-C

熱壁 CVD 具有出色的均勻性

150 mm 基板直徑

單晶圓和手動裝載

非常適合研發(fā)

 

Epiluvac ER3-N1

上述ER3-C1系統(tǒng)的GaN版本

可選的原位監(jiān)測

獲得利的溫度控制,可大限度地減少晶圓彎曲

 

Epiluvac ER3-C1

晶圓直徑可達(dá) 200 mm (8“)

通過熱壁拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)出色的均勻性

優(yōu)良的動態(tài)氣體流量控制,可實(shí)現(xiàn)佳生長速率和摻雜均勻性。

具有多個(gè)加熱區(qū)的出色溫度曲線

不含石英,適用于氯化工藝

在清潔的惰性氣氛中進(jìn)行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長石墨部件的使用壽命

模塊化設(shè)計(jì),兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)反應(yīng)器組成集群配置。每個(gè)反應(yīng)器都針對特定的生長步驟進(jìn)行了優(yōu)化

在受控環(huán)境中在反應(yīng)器之間進(jìn)行晶圓運(yùn)輸

高達(dá) 1800 °C

適用于中小批量生產(chǎn)和研發(fā)

 

Epiluvac EPI 1000-C

熱壁 CVD 具有出色的均勻性

150 mm 基板直徑

單晶圓和手動裝載

非常適合研發(fā)

 

Epiluvac ER3-N1

上述ER3-C1系統(tǒng)的GaN版本

可選的原位監(jiān)測

獲得利的溫度控制,可大限度地減少晶圓彎曲


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