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磁控濺射鍍膜設(shè)備

簡要描述:Kurt J. Lesker Company LAB Line UHV 磁控濺射鍍膜設(shè)備專為磁控濺射沉積應(yīng)用而設(shè)計(jì)。為滿足 UHV 濺射工藝需求而定制的腔室設(shè)計(jì)、具有高級編程、負(fù)載鎖定功能的行業(yè)*軟件控制系統(tǒng)以及用于優(yōu)化薄膜性能的眾多功能是這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)提供的一些優(yōu)勢。®

  • 產(chǎn)品型號:LAB Line
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-09-06
  • 訪  問  量: 342

詳細(xì)介紹

Kurt J. Lesker Company LAB Line UHV 濺射平臺專為磁控濺射沉積應(yīng)用而設(shè)計(jì)。為滿足 UHV 濺射工藝需求而定制的腔室設(shè)計(jì)、具有高級編程、負(fù)載鎖定功能的行業(yè)*軟件控制系統(tǒng)以及用于優(yōu)化薄膜性能的眾多功能是這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)提供的一些優(yōu)勢。®

LAB Line 系列與以下技術(shù)兼容:

  • TORUS 磁控濺射(多達(dá) 12 個(gè)光源)®

  • 可根據(jù)要求提供定制配置

KJLC創(chuàng)新的eKLipse™軟件允許用戶友好的配方創(chuàng)建以及圖形用戶界面,該界面對于新的PVD用戶來說是直觀的,而對于經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)人士來說則是高級的。有關(guān)此直觀、可靠的軟件包的更多信息,請參閱“軟件"選項(xiàng)卡。

應(yīng)用:

  • R&D 濺射沉積

  • 微電子學(xué)(金屬、金屬氧化物、電介質(zhì))

  • 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)(磁性薄膜)

  • 磁性隧道結(jié)

  • 超導(dǎo)材料

  • 約瑟夫森交界處

  • 光學(xué)薄膜和光子學(xué)

LAB Line 是 Kurt J. Lesker 的 UHV 磁控濺射平臺。

只有 KJLC 提供 Mag-Keeper 濺射源,該濺射源在陰極體中具有零 O 形圈和磁耦合靶材,可輕松更換靶材。我們的冷卻井設(shè)計(jì)可在高達(dá) 200 瓦/英寸的功率密度下運(yùn)行2.該陰極設(shè)計(jì)用于濺射厚達(dá) 0.375 英寸的目標(biāo)。如果沒有壓緊夾或暗空間屏蔽,這種陰極能夠運(yùn)行低至 1mTorr(取決于材料)。圓頂百葉窗設(shè)計(jì)消除了標(biāo)準(zhǔn)翻轉(zhuǎn)或擺動(dòng)百葉窗所需的額外交叉污染屏蔽需求。

單擊以了解有關(guān)濺射速率和均勻性的更多信息。

LAB Line 專為實(shí)現(xiàn)*均勻性而設(shè)計(jì),并允許。左邊的圖表顯示了按沉積類型和襯底晶圓直徑劃分的平均預(yù)期均勻性。使用輪廓儀或光譜反射儀進(jìn)行厚度測量。實(shí)際可實(shí)現(xiàn)的均勻性將取決于系統(tǒng)和過程參數(shù)的最終配置。




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