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當(dāng)前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  2 PVD  >  PVD-BATCH DRUM薄膜沉積PVD設(shè)備

薄膜沉積PVD設(shè)備

簡(jiǎn)要描述:Kurt J. Lesker Company PVD-BATCH DRUM系列由兩種標(biāo)準(zhǔn)尺寸(PVD 200 和 PVD 500)組成,可配置為水平或垂直配置。當(dāng)顆粒物是一個(gè)主要問(wèn)題時(shí),水平配置優(yōu)先。水平和垂直配置均可用于 3D 涂層的雙軸旋轉(zhuǎn)。通過(guò)每次運(yùn)行的沉積面積來(lái)衡量的吞吐量范圍從幾百平方英寸到超過(guò) 2000 平方英寸,并且還提供更大的定制系統(tǒng)。

  • 產(chǎn)品型號(hào):PVD-BATCH DRUM
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-09-06
  • 訪  問(wèn)  量: 312

詳細(xì)介紹

Kurt J. Lesker Company PVD-BATCH DRUM系列由兩種標(biāo)準(zhǔn)尺寸(PVD 200 和 PVD 500)組成,可配置為水平或垂直配置。當(dāng)顆粒物是一個(gè)主要問(wèn)題時(shí),水平配置優(yōu)先。水平和垂直配置均可用于 3D 涂層的雙軸旋轉(zhuǎn)。通過(guò)每次運(yùn)行的沉積面積來(lái)衡量的吞吐量范圍從幾百平方英寸到超過(guò) 2000 平方英寸,并且還提供更大的定制系統(tǒng)。

泵送選項(xiàng)以及它們?nèi)绾斡绊懩耐掏铝?/h3>
  • 為了最大限度地提高吞吐量,應(yīng)考慮右圖所示的抽空時(shí)間。

  • 根據(jù)右圖,可以總結(jié)出,升級(jí)到更大的高真空閥門可能會(huì)導(dǎo)致每個(gè)班次額外生產(chǎn)兩批晶圓(使用所示示例)。

  • 請(qǐng)參閱表格,其中顯示了提供的所有泵送配置以及典型的泵送量和基本壓力。


內(nèi)部安裝陰極

  • 內(nèi)部安裝可實(shí)現(xiàn)可調(diào)節(jié)的源-基板距離,是均勻性和速率優(yōu)化的理想選擇。

外部安裝陰極

  • 外部安裝的陰極便于訪問(wèn)公用設(shè)施,并能夠硬安裝射頻調(diào)諧器以增強(qiáng)電源集成。此選項(xiàng)具有固定的源-基板投射距離。

鉸鏈?zhǔn)酱趴毓荛T

  • 可以輕松訪問(wèn)濺射源以進(jìn)行靶材更改、調(diào)整源與襯底的距離以及源維護(hù)。

標(biāo)準(zhǔn)和高強(qiáng)度磁鐵陣列

  • 標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)度:目標(biāo)利用率高,針對(duì)非磁性材料
    (例如金屬和粘結(jié)陶瓷)進(jìn)行了優(yōu)化

  • 高強(qiáng)度:針對(duì)高度矯頑力的目標(biāo)材料
    進(jìn)行了優(yōu)化,例如鎳、鐵、鈷、坡莫合金

直接和間接冷卻設(shè)計(jì)

  • 直冷:水冷直接位于目標(biāo)的背面。
    當(dāng)需要高吞吐量或?yàn)R射導(dǎo)熱性差的材料時(shí)
    優(yōu)點(diǎn):更高的功率密度能力,可提高濺射率!

  • 間接冷卻:水冷通過(guò)固體膜或背板與目標(biāo)接觸。
    當(dāng)高吞吐量不重要時(shí)。
    優(yōu)點(diǎn):目標(biāo)水和冷卻水之間有堅(jiān)固的屏障,減少了直接泄漏到腔室的機(jī)會(huì)。



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