1 產品概述:

      離子注入設備，又稱為離子注入機，是半導體制造中的關鍵設備之一。它通過將可控數量的離子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半導體材料（如硅片）的特定區(qū)域，以改變其電學性能，實現摻雜的目的。離子注入技術具有精確控制摻雜深度、濃度和橫向分布的能力，是現代集成電路制造中一環(huán)。

離子注入設備主要由離子源、離子引出和質量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔等部分組成。離子源負責產生所需的離子，經過質量分析器篩選后，由加速管加速至幾百千電子伏特的能量，最后通過掃描系統(tǒng)均勻地注入到硅片表面。工藝腔則提供了一個真空環(huán)境，確保離子注入過程的順利進行。

2 設備用途：

離子注入設備在半導體制造領域具有廣泛的用途，主要包括以下幾個方面：

1. 集成電路制造：在制造集成電路的過程中，離子注入技術用于形成晶體管的源極、漏極和溝道等關鍵區(qū)域，以及實現電路的隔離和互聯(lián)。

2. 金屬材料表面改性：通過離子注入技術，可以在金屬材料表面形成一層具有特殊性能的改性層，如提高耐磨性、耐腐蝕性和硬度等。

3. 薄膜制備：離子注入技術還可以用于制備具有特定性能的薄膜材料，如超導薄膜、光學薄膜等。

3 設備特點

離子注入設備具有以下幾個顯著特點：

1. 精確控制：離子注入技術可以精確控制摻雜離子的種類、數量、深度和橫向分布，滿足集成電路制造中對摻雜精度的要求。

2. 低溫處理：與傳統(tǒng)的熱擴散工藝相比，離子注入技術可以在較低的溫度下進行，避免了高溫處理對半導體材料性能的影響。

3. 廣泛應用：離子注入技術不僅應用于半導體制造領域，還擴展到金屬材料表面改性、薄膜制備等多個領域。
   

4 技術參數和特點：

基板尺寸：Max200mm

大能量：2400 keV

枚葉式

可對應薄片Wafer

平行Beam