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當前位置：首頁  >  產品中心  >  半導體前道工藝設備  >  5 刻蝕設備  >  Herent® Chimera® M12英寸金屬刻蝕設備

12英寸金屬刻蝕設備

簡要描述：Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設備，為針對12英寸IC產業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝所開發(fā)的專用產品， 同時也可應用于鋁墊（Al pad）刻蝕。該設備承襲了 Chimera® A 的先進設計理念，具有出色的均勻性調控手段， 可以為客戶提供高性價比的解決方案。

  • 產品型號：Herent® Chimera® M
  • 廠商性質：經銷商
  • 更新時間：2024-09-04
  • 訪  問  量： 325

詳細介紹

1. 系統(tǒng)特性

Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設備是面向12英寸集成電路制造的量產型設備

設備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch chamber）、去膠腔（strip chamber）、傳輸模塊（transfer module）構成

適用于0.18微米及其他技術代邏輯應用中的高密度鋁導線工藝，以及鋁墊刻蝕

2. 詳細介紹

Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設備，為針對12英寸IC產業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝所開發(fā)的用產品， 同時也可應用于鋁墊（Al pad）刻蝕。該設備承襲了 Chimera® A 的先進設計理念，具有出色的均勻性調控手段， 可以為客戶提供高性價比的解決方案

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