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8英寸硅刻蝕設備

簡要描述:Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設備是面向8英寸集成電路制造的量產型設備
設備由電感耦合等離子體刻蝕腔(ICP etch chamber)以及傳輸模塊(transfer module)構成
適用于0.11微米及其它技術代的多晶硅柵(poly gate)、側墻(spacer)、淺溝槽隔離(STI)工藝

  • 產品型號:Tebaank® Pishow® P
  • 廠商性質:經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-04
  • 訪  問  量: 319

詳細介紹

1. 產品概述:

Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設備是面向8英寸集成電路制造的量產型設備設備由電感耦合等離子體刻蝕腔(ICP etch chamber)以及傳輸模塊(transfer module)構成

適用于0.11微米及其它技術代的多晶硅柵(poly gate)、側墻(spacer)、淺溝槽隔離(STI)工藝

2. 工藝數(shù)據(jù)

3 μm Trench

0.4 μm Trench

0.25 μm Trench

2 μm Poly

0.18 μm Poly

3. 詳細介紹

Tebaank®  Pishow® P 硅刻蝕設備,為8英寸IC產線上柵工藝的多腔式量產型設備,擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設計, 保證了優(yōu)異的刻蝕均勻性(片內<5%,片間<5%)和顆粒控制。提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各項工藝的刻蝕解決方案。該設備高性價比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率,可為客戶產能升提供幫助。 



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