1.設(shè)備概述

EC400高真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備是一臺(tái)高精度的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，主要用于在物體表面形成一層均勻的薄膜，以改變物體的性質(zhì)和外觀。該設(shè)備利用高真空環(huán)境下的物理過(guò)程，將金屬材料蒸發(fā)成氣體，并在物體表面沉積形成薄膜。

2.主要組成部分

真空室：用于提供高真空環(huán)境，確保蒸發(fā)源和物體表面之間沒(méi)有氣體分子的干擾。

蒸發(fā)源：內(nèi)置金屬材料（如銅、鋁、銀、金等），通過(guò)加熱使其蒸發(fā)成氣體。

膜厚監(jiān)測(cè)儀：用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜的厚度，確保薄膜質(zhì)量符合要求。

樣品臺(tái)：用于放置待處理的物體，確保其在鍍膜過(guò)程中的穩(wěn)定性和位置準(zhǔn)確性。

真空獲得系統(tǒng)：包括真空泵等組件，用于將真空室抽成高真空狀態(tài)。

真空測(cè)量系統(tǒng)：用于測(cè)量真空室內(nèi)的氣體壓力等參數(shù)，確保設(shè)備的安全運(yùn)行。

氣路系統(tǒng)：用于向真空室內(nèi)通入工藝氣體，如氮?dú)獾?，以調(diào)節(jié)鍍膜環(huán)境。

PLC+觸摸屏自動(dòng)控制系統(tǒng)：實(shí)現(xiàn)設(shè)備的自動(dòng)化控制和操作，提高工作效率和鍍膜質(zhì)量。

3.技術(shù)特點(diǎn)

高真空環(huán)境：確保蒸發(fā)源和物體表面之間沒(méi)有氣體分子的干擾，提高鍍膜質(zhì)量。

高精度控制：通過(guò)PLC+觸摸屏自動(dòng)控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)源加熱溫度、沉積時(shí)間等參數(shù)的精確控制。

多功能性：可制備多種類(lèi)型的薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜等。

結(jié)構(gòu)緊湊：設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計(jì)，操控方便；結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小。

4.應(yīng)用域

EC400高真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備在多個(gè)域具有廣泛的應(yīng)用，包括但不限于：

納米薄膜制備：用于開(kāi)發(fā)納米單層、多層及復(fù)合膜層等。

材料科學(xué)：制備金屬膜、合金膜、半導(dǎo)體膜、陶瓷膜及介質(zhì)膜等，如銀、鋁、銅、C60、BCP等材料的薄膜。

高校與科研院所：用于教學(xué)、科研實(shí)驗(yàn)及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)等。

工業(yè)生產(chǎn)：在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、OLED、OPV太陽(yáng)能電池等行業(yè)中，用于制備高質(zhì)量的薄膜材料。